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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：硅器件和材料
收藏年代2000～2023



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2020, vol.120, no.126 2020, vol.120, no.205 2020, vol.120, no.239 2020, vol.120, no.273 2020, vol.120, no.352 2020, vol.120, no.359

题名作者出版年年卷期
A Model of Dark Current Mechanism in Barrier Infrared PhotodetectorsYen LE THI; Yoshinari KAMAKURA; Nobuya MORI20202020, vol.120, no.239
［招待講演］SISPAD 2020レビュー相馬聡文20202020, vol.120, no.239
［招待講演］古典MDで再現されたHigh-kゲートスタックの界面ダイポール渡邉孝信20202020, vol.120, no.239
［招待講演］大規模第一原理計算とデバイス·プロセスシミュレータ統合に向けて: パワー半導体を中心に押山淳20202020, vol.120, no.239
［招待講演］第一原理計算とマテリアルズ·インフォマティクスに基づくぺロブスカイト型酸化物の誘電率予測モデル野田祐輔20202020, vol.120, no.239
［招待講演］裏面照射型CMOS撮像画素における近赤外線の像面位相差検出國清辰也; 佐藤英則; 神野健; 飯塚康治; 園田賢一郎; 山下朋弘20202020, vol.120, no.239
モンテカルロシミュレーションによる微細Siワイヤのフォノンの平均自由行程の解析鈴木悠平; 藤田悠摩; ファウジアホティマトゥル; 野北崇人; 池田浩也; 渡邉孝信; 鎌倉良成20202020, vol.120, no.239
［招待講演］ゲート電圧波形の機械学習を用いたパワーデバイスの劣化推定山崎大夢; 宮崎耕太郎; 羅揚; イスラムマーフズル; 畑勝裕; 桜井貴康; 高宮真20202020, vol.120, no.239
［招待講演］Si IGBTの3次元デバイス·シミュレーション: 物理モデルの検討と実測結果との比較執行直之; 渡辺正裕; 角嶋邦之; 星井拓也; 古川和由; 中島昭; 佐藤克己; 末代知子; 更屋拓哉; 高倉俊彦; 伊藤一夫; 福井宗利; 鈴木慎一; 竹内潔; 宗田伊里也; 若林整; 西澤伸一; 筒井一生; 平本俊郎; 大橋弘通; 岩井洋20202020, vol.120, no.239
［招待講演］反応性力場分子動力学法計算および量子化学計算を活用したCVD/ALD薄膜堆積機構の解析徳増祟; 上根直也; 馬渕拓哉; 財津優; 安原重雄20202020, vol.120, no.239
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