先进制造业知识服务平台
国家科技图书文献中心机械分馆　　工信部产业技术基础公共服务平台　　国家中小企业公共服务示范平台

期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：电子装置
收藏年代2000～2022

关联期刊参考译名收藏年代
電子情報通信学会技術研究報告电子信息通信学会技术研究报告：电子装置 


全部

2000 2001 2002 2003 2004 2005
2006 2007 2008 2009 2010 2011
2012 2013 2014 2015 2016 2017
2018 2019 2020 2021 2022

2010, vol.110, no.109 2010, vol.110, no.11 2010, vol.110, no.203 2010, vol.110, no.249 2010, vol.110, no.271 2010, vol.110, no.29
2010, vol.110, no.342 2010, vol.110, no.358 2010, vol.110, no.423 2010, vol.110, no.80

题名作者出版年年卷期
AlGaN／GaN HEMTにおけるバッファ層に起因した電流コラプスに与える裏面電極とゲートフィールドプレートの影響の2次元解析小野寺啓; 中島敦; 堀尾和重20102010, vol.110, no.358
Ka帯20W出力AlGaN／GaN HEMTの開発松下景一; 桜井博幸; 柏原康; 増田和俊; 小野寺賢; 川崎久夫; 高木一考; 高田賢治; 津田邦男20102010, vol.110, no.358
耐圧ブースト構造によるSi基板上GaNトランジスタの高耐圧化梅田英和; 鈴木朝実良; 按田義治; 石田昌宏; 上田哲三; 田中毅; 上田大助20102010, vol.110, no.358
Si基板上AlGaN／GaN HFETにおける高濃度Cドーピングの影響古川拓也; 賀屋秀介; 池田成明; 加藤禎宏20102010, vol.110, no.358
デュアルゲート構造を用いたAlGaN／GaN HEMTの電流コラブスの表面帯電部位依存性の評価田島正文; 橋詰保20102010, vol.110, no.358
広帯域高効率E級GaN HEMT増幅器山中宏治; 湯之上則弘; 茶木伸; 中山正敏; 平野嘉仁20102010, vol.110, no.358
フィードバック回路を用いたGaAs-HBT MMICカプラの検討山本和也; 久留須整; 宮下美代; 鈴木敏; 井上晃20102010, vol.110, no.358
信号線間交差部容量補償用近接グラウンドスルーホールを有するオフセット結合線路型カブラ湯浅健; 田原志浩; 大和田哲; 米田尚史20102010, vol.110, no.358
3C-SiC-OI基板上でのMOSゲート絶縁膜のプロセス依存性横山圭祐; 中村浩之; 中尾基; 大西克典20102010, vol.110, no.358
無線通信電力伝送のための受信受電用5.8GHzレクテナアレー堀正和; 磯野晃輔; 野地紘史; 澁谷賢広; 川崎繁男20102010, vol.110, no.358
12



国家科技图书文献中心  全球文献资源网  京ICP备05055788号-26  机械工业信息研究院 2018-2024