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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：电子装置
收藏年代2000～2022

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電子情報通信学会技術研究報告电子信息通信学会技术研究报告：电子装置 


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2011, vol.111, no.167 2011, vol.111, no.248 2011, vol.111, no.290 2011, vol.111, no.338 2011, vol.111, no.373 2011, vol.111, no.425
2011, vol.111, no.44

题名作者出版年年卷期
Microwave Power Beaming Experiments in Tronto and Hawaii for the Solar Power SatelliteNobuyuki KAYA; Masashi IWASHITA20112011, vol.111, no.373
Components in 0.5-μm-emitter-width InP-HBT Technology for High-Speed and Low-Power ApplicationsYves BOUVIER; Munehiko NAGATANI; Kimikazu SANO; Koichi MURATA; Kenji KURISHIMA; Minoru Ida20112011, vol.111, no.373
Step-stress Reliability Studies on AlGaN/GaN HEMTs on Silicon with Buffer Thickness DependenceA. Frank Wilson; Akio Wakejima; Takashi Egawa20112011, vol.111, no.373
P型障壁制御層を有する大電流·高耐圧GaNマルチジャンクションダイオード柴田大輔; 海原一裕; 村田智洋; 山田康博; 森田竜夫; 按田義治; 石田昌宏; 石田秀俊; 上田哲三; 田中毅; 上田大助20112011, vol.111, no.373
L/S帯高出力GaN HEMTの耐久性および信頼性菊池憲; 八巻史一; 井上和孝; 西眞弘; 生松均; 宇井範彦; 蛯原要; 新田敦; 佐野征吾20112011, vol.111, no.373
Si基板上AlGaN/GaN HFETの高出力·高利得化に向けたフィールドプレート設計中澤敏志; 鶴見直大; 西嶋将明; 按田義治; 石田昌宏; 上田哲三; 田中毅20112011, vol.111, no.373
X帯30W級高利得高効率小型電力増幅器の開発森谷修; 黒田健太; 松下景一; 副島知英; 高木一考; 高塚眞治20112011, vol.111, no.373
X帯200W AlGaN/GaN HEMTの開発西原信; 山本高史; 水野慎也; 佐野征吾; 長谷川裕一20112011, vol.111, no.373
結合線路と伝送線路の組み合わせによるCMOSプロセスの利用を想定したミリ波有極形LPF,HPF,BPFに関する一検討谷井宏成; 牧本三夫; 五十嵐貞男; 福井邦明; 小日向宏一; 和田光司20112011, vol.111, no.373
多層型SIWデュアルモード共振器を利用した準ミリ波帯帯域通過フィルタの設計飛田和哉; 馬哲旺; 大平昌敬20112011, vol.111, no.373
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