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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：电子装置
收藏年代2000～2022

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電子情報通信学会技術研究報告电子信息通信学会技术研究报告：电子装置 


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2013, vol.113, no.176 2013, vol.113, no.257 2013, vol.113, no.329 2013, vol.113, no.357 2013, vol.113, no.378 2013, vol.113, no.39
2013, vol.113, no.449 2013, vol.113, no.9

题名作者出版年年卷期
共鳴トンネルダイオードを用いた極短パルス生成器の高出力化呉東坡; 水牧勝太郎; 潘杰; 森雅之; 前澤宏一20132013, vol.113, no.176
容量-周波数-温度マッピングによるGaN系金属-絶縁体-半導体デバイスの解析鈴木寿一; H.-A. Shih; 工藤昌宏20132013, vol.113, no.176
スパッタリング堆積BN膜のAlGaN／GaN金属-絶縁体-半導体ヘテロ接合電界効果トランジスタへの応用山本裕司; T. Q. Nguyen; H. -A．Shih; 工藤昌宏; 鈴木寿一20132013, vol.113, no.176
AlGaN／GaNと金属との反応による二次元電子ガス濃度と移動度の増加徳田博邦; 小島敏和; 葛原正明20132013, vol.113, no.176
Al_2O_3／n-Ga_2O_3 MOSダイオード特性評価上村崇史; ワンマンホイ; 佐々木公平; ダイワシガマニキルシナムルティ; 倉又朗人; 増井建和; 山腰茂伸; 東脇正高20132013, vol.113, no.176
超高性能デジタルマイクロフォンセンサのためのInP基板へのMEMSマイクロフォン作製プロセス藤野舜也; 水野雄太; 高岡和央; 森雅之; 前澤宏一20132013, vol.113, no.176
真空アニール法がAl_2O_3／GaSb MOS界面に与える影響後藤高寛; 藤川紗千恵; 藤代博記; 小倉睦郎; 安田哲二; 前田辰郎20132013, vol.113, no.176
Ga／Si（111）表面再構成構造を用いたSi（111）基板上GaSbナノ構造の形成町田龍人; 戸田隆介; 吉木圭祐; 藤川紗千恵; 原紳介; 色川勝己; 三木裕文; 河津璋; 藤代博記20132013, vol.113, no.176
InGaAs 2次元電子ガス2層系におけるサブバンド輸送と量子ホール効果日高志郎; 岩瀬比宇麻; 赤堀誠志; 山田省二; 今中康貴; 高増正20132013, vol.113, no.176
GaAs上の領域選択分子線成長による面内配向InAsナノワイヤの試作と電気的評価赤堀誠志; 村上達也; 山田省二20132013, vol.113, no.176
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