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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：电子装置
收藏年代2000～2022

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電子情報通信学会技術研究報告电子信息通信学会技术研究报告：电子装置 


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2018, vol.118, no.175 2018, vol.118, no.263 2018, vol.118, no.330 2018, vol.118, no.368 2018, vol.118, no.402 2018, vol.118, no.49
2018, vol.118, no.58 2018, vol.118, no.9

题名作者出版年年卷期
Recent Progress towards realizing GaN/AlGaN Quantum Cascade LasersKe Wang; Li Wang; Lin Tsung Tse; Hideki Hirayama20182018, vol.118, no.330
GaN-MOSFETにおけるGaN表面処理とゲート絶縁膜アニールによるチャネル移動度の改善梶原瑛祐; 新留彩; 彦坂年輝; 蔵口雅彦; 吉岡啓; 布上真也20182018, vol.118, no.330
GaN/AlN極薄膜量子井戸の作製と偏光特性船戸充; 市川修平; 川上養一20182018, vol.118, no.330
n-GaNショットキー接触の電圧印加界面顕微光応答測定塩島謙次; 前田昌嵩; 三島友義20182018, vol.118, no.330
ナノインプリントによるモスアイ構造作製法に関する評価実験平賀健太; 久保田繁; 鹿又健作; 有馬ボシールアハンマド; 廣瀬文彦20182018, vol.118, no.330
ALD法を用いたフレキシブルフィルム上へのゼオライト薄膜の試作とイオン吸着特性評価森義晴; 野口雄祐; 鹿又健作; 三浦正範; 有馬ボシールアハンマド; 久保田繁; 廣瀬文彦20182018, vol.118, no.330
フォト電極修飾によるCdS量子ドット太陽電池の効率向上に関する研究木幡優弥; 三浦正範; 鹿又健作; 久保田繁; 廣瀬文彦; 有馬ボシールアハンマド20182018, vol.118, no.330
酒石酸添加三段パルス電気化学堆積によるFeS_xO_y薄膜の作製とZnO／FeS_xO_yヘテロ接合太陽電池の作製季ぶん; 市村正也20182018, vol.118, no.330
歪み制御AlGaInNバリア層を備えた耐圧2.5kV級AlGaNチャネルHFET細見大樹; 古岡啓太; 陳珩; 斉藤早紀; 久保俊晴; 江川孝志; 三好実人20182018, vol.118, no.330
ALD-Al_2O_3／AlGaN／GaN MIS-HEMTの電気特性に及ぼすアニール雰囲気の効果古岡啓太; 久保俊晴; 三好実人; 江川孝志20182018, vol.118, no.330
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