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期刊
ISSN
0913-5685
刊名
電子情報通信学会技術研究報告
参考译名
电子信息通信学会技术研究报告:有机材料电子学
收藏年代
2000~2022
关联期刊
参考译名
收藏年代
電子情報通信学会技術研究報告
电子信息通信学会技术研究报告:有机材料电子学
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2020
2021
2022
2016, vol.116, no.101
2016, vol.116, no.134
2016, vol.116, no.2
2016, vol.116, no.233
2016, vol.116, no.281
2016, vol.116, no.315
2016, vol.116, no.325
2016, vol.116, no.384
2016, vol.116, no.385
2016, vol.116, no.392
2016, vol.116, no.437
2016, vol.116, no.447
题名
作者
出版年
年卷期
低仕事関数金属界面制御層を用いた有機半導体トランジスタのデバイス特性
大見俊一郎; 前田康貴; 古山脩; 廣木瑞葉
2016
2016, vol.116, no.2
固液界面におけるチトクロームcの固定化と直接電子移動反応に対する表面修飾の効果
松田直樹; 岡部浩隆
2016
2016, vol.116, no.2
メソスコピック寸法のλ-DNA/SiO_2/Si構造における正孔の非クーロンブロケード/ステアケース現象
松尾直人; 高田忠雄; 部家彰; 山名一成; 佐藤旦; 横山新; 大村泰久
2016
2016, vol.116, no.2
Sn系IV族半導体混晶薄膜の成長と物性評価
志村洋介; 竹内和歌奈; 坂下満男; 黒澤昌志; 中塚理; 財満鎮明
2016
2016, vol.116, no.2
絶縁基板上における高Sn濃度(>10%)GeSn薄膜結晶の形成
茂藤健太; 松村亮; 佐道泰造; 池上浩; 宮尾正信
2016
2016, vol.116, no.2
金属誘起横方向成長法によるSnドープGe/絶縁基板の低温形成
酒井崇嗣; 松村亮; 佐道泰造; 宮尾正信
2016
2016, vol.116, no.2
非熱的エネルギーを用いた非晶質Ge/SiO_2の低温固相成長
草野欽太; 工藤和樹; 塘内功大; 坂口大成; 茂藤健太; 本山慎一; 楠田豊; 古田真浩; 中庸行; 沼田朋子; 高倉健一郎; 角田功
2016
2016, vol.116, no.2
大気圧マイクロ熱プラズマジェット結晶化ゲルマニウム膜の電気特性評価及び高性能薄膜トランジスタの作製
中谷太一; 原田大夢; 東清一郎
2016
2016, vol.116, no.2
スパッタSi膜へのマルチショットELAとメタルソース·ドレイン構造TFT
原田大成; 我喜屋風太; 安次富卓哉; 岡田竜弥; 野口隆; 野田勘治; 諏訪輝; 池上浩; 奥山哲雄
2016
2016, vol.116, no.2
パネル上システムのための青色半導体レーザアニーリングにより形成された高光伝導性シリコン薄膜
コスワッタグーチャリットジャヤナダ; 中尾浩太; 岡田竜弥; 野口隆
2016
2016, vol.116, no.2
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