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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：电子装置
收藏年代2000～2022

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電子情報通信学会技術研究報告电子信息通信学会技术研究报告：电子装置 


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2012, vol.112, no.154 2012, vol.112, no.303 2012, vol.112, no.32 2012, vol.112, no.327 2012, vol.112, no.364 2012, vol.112, no.380
2012, vol.112, no.445 2012, vol.112, no.5

题名作者出版年年卷期
Temperature dependence of frequency dispersion in C-V characteristics of AlN/AlGaN/GaN MIS-HFETHong-An SHIH; Masahiro KUDO; Toshi-kazu SUZUKI20122012, vol.112, no.154
Effect of ICP Etching on p-type GaN Schottky ContactsToshifumi TAKAHASHI; Naoki KANEDA; Tomoyoshi MISHIMA; Kazuki NOMOTO; Kenji SHIOJIMA20122012, vol.112, no.154
Electrical Characteristics of Surface Stoichiometry Controlled p-GaN Schottky ContactsToshifumi TAKAHASHI; Naoki KANEDA; Tomoyoshi MISHIMA; Takashi KAJIWARA; Satoru TANAKA; Kenji SHIOJIMA20122012, vol.112, no.154
AlGaN／GaN MIS HEMTの直流特性に与える熱処理の影響畑野舞子; 谷口裕哉; 徳田博邦; 葛原正明20122012, vol.112, no.154
AlInN／GaN系へテロ構造の表面·界面評価橋詰保; 堀祐臣; 赤澤正道20122012, vol.112, no.154
フルバンドモデルに基づくAlGaN／GaN HEMTの衝突イオン化の理論検討児玉和樹; 徳田博邦; 葛原正明20122012, vol.112, no.154
量子補正モンテカルロ法による歪みInSb HEMTの遅延時間解析永井佑太郎; 佐藤純; 原紳介; 藤代博記; 遠藤聡; 渡邊一世20122012, vol.112, no.154
トンネルダイオードの非平衡量子輸送モデルの構築と遮断周波数の理論解析山下新; 倉上祐司; 斉藤光史; 須原理彦20122012, vol.112, no.154
広帯域アンテナ集積共鳴トンネルダイオードのアレイ化発振源における注入同期特性および周波数コム特性の大信号解析浅川澄人; 田代篤史; 斉藤光史; 須原理彦20122012, vol.112, no.154
GaAs系エッチングナノワイヤCCDにおける同期電荷転送と効率に関する検討中野雄紀; 田中貴之; 葛西誠也20122012, vol.112, no.154
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