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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：电子装置
收藏年代2000～2022

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電子情報通信学会技術研究報告电子信息通信学会技术研究报告：电子装置 


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2012, vol.112, no.154 2012, vol.112, no.303 2012, vol.112, no.32 2012, vol.112, no.327 2012, vol.112, no.364 2012, vol.112, no.380
2012, vol.112, no.445 2012, vol.112, no.5

题名作者出版年年卷期
Frequency domain THz spectroscopy and imaging with 1.55-μm fiber-optic technology and coherent detectionJae Young KIM; Ho Jin SONG; Katsuhiro AJITO; Makoto YAITA; Naoya KUKUTSU20122012, vol.112, no.364
Operation temperature performance improvement by utilizing high Al composition AlGaAs in THz QCLsTsung-Tse LIN; Hideki HIRAYAMA20122012, vol.112, no.364
High Frequency Performance of GaAsSb/InAlAs/InGaAs Tunnel DiodesMikhail PATRASHIN; Norihiko SERINE; Akifumi KASAMATSU; Issei WATANABE; Iwao HOSAKO; Tsuyoshi TAKAHASHI; Masaru SATO; Yasuhiro NAKASHA; Naoki HARA20122012, vol.112, no.364
Frequency-Tunable Narrowband Time-Domain Terahertz Wave Generation by Optical RectificationCaihong ZHANG; Yuri AVETISYAN; Iwao KAWAYAMA; Hiro MURAKAMI; Masayoshi TONOUCHI20122012, vol.112, no.364
Plasmon induced transparency in terahertz metamaterialsJiaguang Han; Jianqiang Gu; Zhen Tian; Weili Zhang; Iwao Kawayama; Masayoshi Tonouchi20122012, vol.112, no.364
75-nm InP HEMTを用いたF帯双方向増幅器芝祥一; 佐藤優; 鈴木俊秀; 中舍安宏; 高橋剛; 牧山剛三; 原直紀20122012, vol.112, no.364
歪みと量子閉じ込め効果を考慮したモンテカルロ計算によるナノゲートInGaAs/InAs/InGaAsチャネルHEMTのDC·RF特性遠藤聡; 渡邊一世; 笠松章史; 三村高志20122012, vol.112, no.364
半導体多層膜結合共振器によるテラヘルツ光発生森田健; 北田貴弘; 井須俊郎20122012, vol.112, no.364
紫外線感応樹脂を用いて形成した誘電体導波路を具備するGaP結晶からのテラヘルツ波発生高効率化出崎光; 齊藤恭介; 小山裕20122012, vol.112, no.364
光パルス励起によるグラフェン内テラヘルツ反転分布形成佐藤昭; リズィーヴィクトール; 栗田裕記; 尾辻泰一20122012, vol.112, no.364
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