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期刊


ISSN0913-5685
刊名電子情報通信学会技術研究報告
参考译名电子信息通信学会技术研究报告：电子装置
收藏年代2000～2022

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電子情報通信学会技術研究報告电子信息通信学会技术研究报告：电子装置 


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2012, vol.112, no.154 2012, vol.112, no.303 2012, vol.112, no.32 2012, vol.112, no.327 2012, vol.112, no.364 2012, vol.112, no.380
2012, vol.112, no.445 2012, vol.112, no.5

题名作者出版年年卷期
Individual Dopant Nature in Si Lateral Nano-pn JunctionsSri PURWIYANTI; Arief UDHIART0; Roland NOWAK; Daniel M0RARU; Takeshi MIZUN0; Djoko HARTANT0; Ryszard JABL0NSKI; Michiharu TABE20122012, vol.112, no.445
電気化学堆積法と電気泳動法によるCu_2O／TiO_2へテロ接合太陽電池の作製加藤義人; 市村正也20122012, vol.112, no.445
グラフェンにおけるバリスティック伝導·光電圧効果町田友樹; 増渕覚; 大貫雅広; 井口和之; 森川生; 山口健洋; 荒井美穂; 渡邊賢司; 谷口尚20122012, vol.112, no.445
イオン注入による欠陥準位導入によってシリコン太陽電池の効率は改善するか榊原宏武; 和田耕司; 加藤正史; 市村正也20122012, vol.112, no.445
フレキシブルデバイス応用を目指したセルフスイッチング型ナノダイオードの整流特性孫屹; 木村祐太; 前元利彦; 佐々誠彦; 葛西誠也20122012, vol.112, no.445
グラフェン3分岐接合デバイスの試作と論理回路応用の検討殷翔; 葛西誠也20122012, vol.112, no.445
Si基板上に直接成長した極薄InSb膜をチャネルとしたAl_2O_3／InSb MOSFET前澤宏一; 伊藤泰平; 角田梓; 中山幸二; 安井雄一郎; 森雅之; 宮崎英志; 水谷孝20122012, vol.112, no.445
InAsナノワイヤの電界アシスト自己整合堆積プロセス船山裕晃; 渡邉龍郎; 道又賢司; 和保孝夫; 村上新; 下村和彦20122012, vol.112, no.445
室温動作単電子トランジスタとCMOS 1-bitアナログセレクタの集積化鈴木龍太; 野末喬城; 更屋拓也; 平本俊郎20122012, vol.112, no.445
二重量子ドットSi単電子トランジスタにおける電子数変化による特性評価内田貴史; 竹中浩人; 吉岡勇; 有田正志; 藤原聡; 高橋庸夫20122012, vol.112, no.445
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